SJ 50033.100-1995 半导体分立器件2CJ60型阶跃恢复二极管详细规范
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ID： |
2677C3EF930F49BDABD73C00B981BD33 |
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文件大小(MB)： |
0.61 |
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页数： |
7 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/100-95,半导体分立器件,2CJ60型阶跃恢复二极管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2CJ60 step recovery diodes,1996丒06丒14发布1996.10-0I 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CJ60型阶跃恢复二极管详细规范,SJ 50033/100-95,Semicondutor discrete devives,Detail specification for type 2CJ60 step recovery diodes,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2CJ60型阶跃恢复二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》第L3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军,二级,分别用字母GP和GT表示,2引用文件,GB 6570—87 微波二极管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86 半导体分立器件试验方法,GJB 1557—92 半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料为无氧铜,引出端表面层应为镀金层,3.2.2 器件结构,采用硅外延台面PIN结构,金属陶瓷双插头式管壳封装,3.2.3 外形尺寸,中华人民共和电子工业部1996-06-14发布1996-10-01 实施,1,SJ/50033/100-95,外形尺寸按GJB 1557的W4—01型,见图1,mm,Di 2.90 3.10,— 3.40,E 2.34 2-40,H 10.50 11.50,$ 4.60 5.40,N 2.90 3.10,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型号,Vrm,V,丄op,mA 匕匕,2CJB 60 45 50 一 55.125 一 55.175,3.3.2 主要电特性（Ta = 25じ）,极限值,型,匕BR）,Ir=10rA,号,2CJ60,Jf= 10mA,Cj,Vr = 6V,f = 1MHz,pF,最小值最大值最小值最大值最小值最大值,45 0.9 3.0,st,Vr= 10V,PS,最小值最大值,500,Iv = 5mA,fR= 40mA,ns,最小值大值,100 —,Z（th）t,/F = 500mA,脉宽!0ms,V/W,典型值,150,/p ~ 10mA,V V,3.4电测试要求,电测试符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33和本规范的规定,仅在器件瓷管上打印型号和极性符号°,4质量保证规定,2,SJ/50033/100-95,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33的规定,筛选（仅对GT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,筛选,(见 GJB 33 表 2),测试方法,GJB 128,测试和试验,3热冲击1051 -55- 15013 10 个循环,5密封1071 粗检漏 试验条件C,6高温反偏1038 Ta =150 匕 48h VR = 36 V,7中间电参数测试按表1A2分组要求,8电老化1038,Ta=85 匕 /=50Hz,-^fm = 15mA Vrm = 36V,9最后测试,1△匕BRメ&初始值15%,其它参数按,表1A2和A4分组要求,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应表的规定,表1 A组检验,GB 6570,检验或试验 ---------- ----------------------LTPD,方法 条 件,A1分组,外观和机械检验,GJB 128,2071,5,极限值,最小I2大,符号单位,A2分组5,反向击穿电压,正向电压,结电容,3.1,3.3,3-5,/r = lOptA,f f = 10mA,Vr = 6V,y=lMHz,匕BR),VF,5,45,〇.9,3.0,A3分组,高温工作,反向击穿电压,低温工作,反向击穿电压,5,3*1,3.1,=125 匕,Ir = 10pA,Ta= -55 匕,Ir= 10以,匕BR),匕BR),36,36,V,V,pF,V,V,3,SJ/50033/100-95,续表1,GB 6570,检验或试验,A4分组,阶跃时间,少子寿命,方法 条 件,3.9 ム=10A,VR=10V,1 f = 5mA,/R = 40mA,LTPD 符号,100,500 ps,ns,极限值,最小I;大,5,表2 B组检验,检验或试验,GJB 128,LTPD,方 法条 件,B1分组,标志的耐久性1022,15,B2分组 “ ■,热冲击（温度循环……
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